-
1 напряжение на базе фототранзистора
напряжение на базе фототранзистора
Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
Uэб
Uкб
UBE
UBC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
104. Напряжение на базе фототранзистора
D. Basisspannung
E. Base voltage
F. Tension de base
Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора
UBC
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > напряжение на базе фототранзистора
-
2 пробивное напряжение коллектор-база
пробивное напряжение коллектор-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
UКБОпроб
U(BR)CBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
12. Пробивное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown collector-base voltage
F. Tension de claquage collecteur-base
UКБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база
-
3 пробивное напряжение эмиттер-база
пробивное напряжение эмиттер-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю.
Обозначение
UЭБОпроб
U(BR)EBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
11. Пробивное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown emitter-base voltage
F. Tension de claquage émetteur-base
UЭБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база
-
4 максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
UКБ,и max
UСBM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
-
5 максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
UКБ max
UСB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum collector-base (d.c.) voltage
DE
FR
74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
D. Maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung
E. Maximum collector-base (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-base maximale
UКБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
-
6 максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
Обозначение
UЭБ max
UEB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum emitter-base (d.c.) voltage
DE
FR
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage
F. Tension continue émetteur-base maximale
IЭБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
7 постоянное напряжение коллектор-база
постоянное напряжение коллектор-база
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы.
Обозначение
UКБ
UCB
Примечание
При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, UКБО, UCBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- collector-base (d.с.) voltage
DE
FR
58. Постоянное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Spannung
E. Collector-base (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-base
U2КБ
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > постоянное напряжение коллектор-база
-
8 постоянное напряжение эмиттер-база
постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы.
Обозначение
UЭБ
UEB
Примечание
При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБО, UEBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- emitter-base (d.с.) voltage
DE
FR
57. Постоянное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Spannung
E. Emitter-base (d.с.) voltage
F. Tension continue émetteur-base
U1ЭБ
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > постоянное напряжение эмиттер-база
-
9 пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
-
10 пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
- Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
- Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
-
11 напряжение насыщения база-эмиттер
напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UБЭнас
UBEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation base-émetteur
UБЭнас
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > напряжение насыщения база-эмиттер
-
12 коэффициент ответвления
коэффициент ответвления (соответствующий конкретному ответвлению)
Отношение Uотв/Uном (коэффициент ответвления) либо 100 Uотв/Uном ((коэффициент ответвления, выраженный в процентах), где
Uном — номинальное напряжение обмотки, В (см. 3.4.3), a
Uотв — напряжение, возникающее при холостом ходе между выводами обмотки, присоединенной к данному ответвлению, при приложении номинального напряжения к обмотке без ответвлений, В.
Примечание — Это определение не распространяется на последовательную обмотку линейного регулировочного трансформатора (см. 3.1.3), для которого коэффициент ответвления, выраженный в процентах, относится к напряжению обмотки возбуждения или обмотки сетевого трансформатора, связанного с линейным регулировочным трансформатором
(МЭС 421-05-03).
[ ГОСТ 30830-2002]EN
tapping factor
the ratio Ud/ UN (tapping factor) or 100 Ud/ UN (tapping factor expressed as a percentage)
where:
UN is the rated voltage of the winding
Ud is the voltage which would be developed at no-load at the terminals of the winding, connected on the tapping concerned, by applying rated voltage to an untapped winding
NOTE – The tapping factor expresses the relative value of the "effective number of turns" of the tapped winding at the relevant tapping, the basis 1 being the effective number of turns of this winding at the principal tapping
[IEV number 421-05-03]FR
facteur de prise
rapport Ud/ UN (facteur de prise) ou 100 Ud/ UN (facteur de prise exprimé sous la forme d'un pourcentage)
où:
UN est la tension assignée de l'enroulement,
Ud est la tension qui serait développée aux bornes de l'enroulement, connecté sur la prise considérée, en fonctionnement à vide, en appliquant à un enroulement sans prise sa tension assignée
NOTE – Le facteur de prise exprime la valeur relative du "nombre effectif de spires" de l'enroulement à prises pour la prise considérée, la base 1 étant le nombre effectif de spires de cet enroulement pour la prise principale.
[IEV number 421-05-03]Тематики
Классификация
>>>EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент ответвления
-
13 номинальная мощность Sном
номинальная мощность Sном
Полная мощность, определяющая вместе с номинальным напряжением номинальный ток обмотки.
Примечания
1 В двухобмоточном трансформаторе обе обмотки имеют одинаковую номинальную мощность, равную номинальной мощности трансформатора.
2 Для многообмоточного трансформатора половина суммы значений номинальных мощностей всех обмоток (раздельных обмоток без автотрансформаторного соединения) дает приблизительную оценку габаритных размеров многообмоточного трансформатора по сравнению с двухобмоточным трансформатором.
[ ГОСТ 30830-2002]EN
rated power
a conventional value of apparent power, establishing a basis for the design of a transformer, a shunt reactor or an arc-suppression coil, the manufacturer's guarantees and the tests, determining a value of the rated current that may be carried with rated voltage applied, under specified conditions
NOTE – Both windings of a two-winding transformer have the same rated power, which by definition is the rated power of the transformer. For multi-winding transformers the rated power for each of the windings may diffe
[IEV number 421-04-04]FR
puissance assignée
valeur conventionnelle de la puissance apparente, destinée à servir de base à la conception du transformateur, de la bobine d'inductance shunt ou de la bobine d'extinction d'arc, aux garanties du constructeur et aux essais, en déterminant une valeur de courant assigné admissible lorsque la tension assignée est appliquée, dans des conditions spécifiées
NOTE – Les deux enroulements d'un transformateur à deux enroulements ont la même puissance assignée, qui est par définition la puissance assignée du transformateur. Dans le cas de transformateurs à plus de deux enroulements, la puissance assignée de chacun des enroulements peut être différente
[IEV number 421-04-04]Тематики
Классификация
>>>EN
DE
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > номинальная мощность Sном
-
14 эталонное напряжение
эталонное напряжение
опорное напряжение
Стабильное напряжение, с которым сравнивается машинная переменная.
[Сборник рекомендуемых терминов. Выпуск 84. Аналоговая вычислительная техника. Академия наук СССР. Комитет научно-технической терминологии. 1972 г.]Тематики
- аналоговая и аналого-цифровая выч.техн.
Обобщающие термины
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > эталонное напряжение
См. также в других словарях:
time-base voltage — skleidimo įtampa statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. scanning voltage; time base voltage vok. Ablenkspannung, f; Abtastspannung, f rus. напряжение развёртки, n pranc. tension de balayage, f … Automatikos terminų žodynas
Voltage-to-current converter — Introduction For a variety of reasons, in low voltage electronics, voltage is a more frequently used data carrier. Thus electronic devices tend to be labeled with voltage inputs and outputs. However some devices are labeled in terms of current… … Wikipedia
Voltage regulator — A popular three pin 12 V DC voltage regulator IC. A voltage regulator is an electrical regulator designed to automatically maintain a constant voltage level. A voltage regulator may be a simple feed forward design or may include negative feedback … Wikipedia
Voltage stabilizer — Unreferenced|date=July 2008A voltage stabilizer is an electronic device able to deliver relatively constant output voltage while input voltage and load current changes over time. The output voltage is usually regulated using a transistor. In a… … Wikipedia
Voltage divider — In electronics, a voltage divider (also known as a potential divider) is a simple linear circuit that produces an output voltage ( V out) that is a fraction of its input voltage ( V in). Voltage division refers to the partitioning of a voltage… … Wikipedia
scanning voltage — skleidimo įtampa statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. scanning voltage; time base voltage vok. Ablenkspannung, f; Abtastspannung, f rus. напряжение развёртки, n pranc. tension de balayage, f … Automatikos terminų žodynas
Common base — Figure 1: Basic NPN common base circuit (neglecting biasing details). In electronics, a common base (also known as grounded base) amplifier is one of three basic single stage bipolar junction transistor (BJT) amplifier topologies, typically used… … Wikipedia
Current-to-voltage converter — In electronics, a transimpedance amplifier is an amplifier that converts current to voltage. Its input ideally has zero impedance, and the input signal is a current. Its output may have low impedance, or in high frequency applications, may be… … Wikipedia
Canal potassium voltage-dependant Kv1.5 — Canal potassium voltage dépendant Kv1.5 Toutes les cellules animales sont protégées de leur environnement extérieur par une membrane. Celle ci est de type lipidique et on y trouvera différentes protéines glycolysées ou non. Cette membrane à la… … Wikipédia en Français
Canal potassium voltage-dépendant Kv1.5 — Toutes les cellules animales sont protégées de leur environnement extérieur par une membrane. Celle ci est de type lipidique et on y trouvera différentes protéines glycolysées ou non. Cette membrane à la propriété d’être hautement sélective quant … Wikipédia en Français
MacDill Air Force Base — Infobox Airport name = MacDill Air Force Base nativename = Part of Air Mobility Command (AMC) image width = 300 caption = 30 December 1998 image2 width = 200 caption2 = Location of MacDill Air Force Base IATA = MCF ICAO = KMCF FAA = MCF type =… … Wikipedia
